TD62083AFNG,N jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TD62083AFNG,N, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TD62083AFNG,N przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TD62083AFNG,N z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TD62083AFNG,N
- Part Number:
- TD62083AFNG,N
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC DRIVER DARL SINK 8-CH 18-SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 46152 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TD62083AFNG,N.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 5V |
| Rodzaj: | Driver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 18-SSOP |
| Seria: | - |
| Protokół: | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 18-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Inne nazwy: | TD62083AFNG TD62083AFNG(0,N) TD62083AFNG(0N) TD62083AFNG(0N)-ND TD62083AFNG(5,S) TD62083AFNG(O,N) TD62083AFNG(ON) TD62083AFNG(ON)-ND TD62083AFNG-ND TD62083AFNGN TD62083AFNGON |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 8/0 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | - |
| szczegółowy opis: | 8/0 Driver 18-SSOP |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Podstawowy numer części: | TD6208*A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TD62083AFNG,N
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash