TCET1105 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TCET1105, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TCET1105 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TCET1105 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TCET1105
- Part Number:
- TCET1105
- Producent:
- Vishay / Semiconductor - Opto Division
- Opis:
- OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 41803 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TCET1105.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 70V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.25V |
| Vce Nasycenie (Max): | 300mV |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 6µs, 5µs |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-DIP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | 3µs, 4.7µs |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | Transistor |
| Inne nazwy: | TCET1105GI TCET1105GI-ND TCET1105VS |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Transistor Output 5000Vrms 1 Channel 4-DIP |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 50% @ 5mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | 600% @ 5mA |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 50mA |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TCET1105
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku
- Pod AI Air Outlet, dwaj główni giganci chipów są „nie mocne”: rozbijanie pieniędzy na złamanie gry, zakładaj się na bitwy drużynowe 2025