TC7S02FU,LF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TC7S02FU,LF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TC7S02FU,LF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TC7S02FU,LF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TC7S02FU,LF
- Part Number:
- TC7S02FU,LF
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC GATE NOR 1CH 2-INP USV
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47518 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TC7S02FU,LF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | USV |
| Seria: | TC7S |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Inne nazwy: | TC7S02FULF |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 17ns @ 6V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Logic Type: | NOR Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.5 V ~ 1.8 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 1.5 V ~ 4.2 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NOR Gate IC 1 Channel USV |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 1µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 2.6mA, 2.6mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TC7S02FU,LF
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe