TC74VHC08F(EL,K,F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TC74VHC08F(EL,K,F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TC74VHC08F(EL,K,F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TC74VHC08F(EL,K,F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TC74VHC08F(EL,K,F)
- Part Number:
- TC74VHC08F(EL,K,F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- IC GATE AND 4CH 2-INP 14SOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22943 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TC74VHC08F(EL,K,F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-SOP |
| Seria: | TC74VHC |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Inne nazwy: | TC74VHC08F(ELKF)TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 7.9ns @ 5V, 50pF |
| Logic Type: | AND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | - |
| Poziom Logic - Wysoka: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | AND Gate IC 4 Channel 14-SOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 2µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TC74VHC08F(EL,K,F)
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny