TBPMANN150PGUCV jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TBPMANN150PGUCV, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TBPMANN150PGUCV przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TBPMANN150PGUCV z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TBPMANN150PGUCV
- Part Number:
- TBPMANN150PGUCV
- Opis:
- SENSOR PRESSURE GAUGE
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 42572 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.TBPMANN150PGUCV.pdf2.TBPMANN150PGUCV.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.5 V ~ 12 V |
| Termination Style: | Surface Mount |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-SMT |
| Seria: | TBP |
| Pressure Type: | Vented Gauge |
| Styl portów: | Barbed |
| Port Rozmiar: | Male - 0.11" (2.74mm) Tube |
| Package / Case: | 6-SMD, No Lead, Top Port |
| Typ wyjścia: | Wheatstone Bridge |
| Wydajność: | 0 mV ~ 45.75 mV (5V) |
| Inne nazwy: | 480-5842 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ciśnienie robocze: | 150 PSI (1034.21 kPa) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalne ciśnienie: | 245 PSI (1689.22 kPa) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Temperature Compensated |
| szczegółowy opis: | Pressure Sensor 150 PSI (1034.21 kPa) Vented Gauge Male - 0.11" (2.74mm) Tube 0 mV ~ 45.75 mV (5V) 6-SMD, No Lead, Top Port |
| Precyzja: | ±0.15% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TBPMANN150PGUCV
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny