TAN300 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TAN300, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TAN300 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TAN300 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TAN300
- Part Number:
- TAN300
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- TRANS RF BIPO 65V 20A 55KT1
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26693 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TAN300.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 65V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 55KT |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 1166W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | 55KT |
| temperatura robocza: | 200°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | - |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 6.6dB |
| Częstotliwość - Transition: | 960MHz ~ 1.215GHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 65V 20A 960MHz ~ 1.215GHz 1166W Chassis Mount 55KT |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 10 @ 1mA, 5V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 20A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TAN300
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC