TAJR475M010S jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TAJR475M010S, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TAJR475M010S przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TAJR475M010S z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TAJR475M010S
- Part Number:
- TAJR475M010S
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP TANT 4.7UF 10V 20% 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 59617 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TAJR475M010S.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) |
| Seria: | TAJ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Producent Kod rozmiaru: | R |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| cechy: | General Purpose |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 9 Ohm |
| szczegółowy opis: | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 10V 0805 (2012 Metric) 9 Ohm |
| Pojemność: | 4.7µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TAJR475M010S
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash