TAJK106M010RNJ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla TAJK106M010RNJ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla TAJK106M010RNJ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup TAJK106M010RNJ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
TAJK106M010RNJ
- Part Number:
- TAJK106M010RNJ
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP TANT 10UF 10V 20% 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55494 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- TAJK106M010RNJ.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | TAJ |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric) |
| Inne nazwy: | TAJK106M010R TAJK106M010R-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | K |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| cechy: | General Purpose |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 2.2 Ohm |
| szczegółowy opis: | 10µF Molded Tantalum Capacitors 10V 1206 (3216 Metric) 2.2 Ohm |
| Pojemność: | 10µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do TAJK106M010RNJ
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny