T600061504BT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T600061504BT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T600061504BT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T600061504BT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T600061504BT
- Part Number:
- T600061504BT
- Producent:
- Powerex, Inc.
- Opis:
- SCT PHSE CTRL MOD 600V 150A
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56429 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- T600061504BT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Na członkowskim (VTM) (max): | 1.55V |
| Napięcie - Stan Wyłączony: | 600V |
| Napięcie - Brama wyzwalania (VGT) (maks): | 3V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Seria: | - |
| Rodzaj SCR: | Standard Recovery |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | TO-209AB, TO-93-4, Stud |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis, Stud Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SCR 600V 235A Standard Recovery Chassis, Stud Mount |
| Obecny - Na członkowskim (IT (RMS)) (max): | 235A |
| Obecny - Na członkowskim (It (AV)) (Max): | 150A |
| Obecny - Off State (max): | 25mA |
| Obecny -. Non Rep Surge 50, 60Hz (ITSM): | 3650A, 4000A |
| Obecny - Brama wyzwalania (IGT) (maks): | 150mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T600061504BT
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC