T529P476M010AAE200 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T529P476M010AAE200, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T529P476M010AAE200 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T529P476M010AAE200 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T529P476M010AAE200
- Part Number:
- T529P476M010AAE200
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CAP TANT POLY 47UF 10V 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30117 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- T529P476M010AAE200.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 10V |
| Rodzaj: | Molded |
| Tolerancja: | 47µF |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | P |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | KO-CAP® T529 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | 399-10536-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Numer części producenta: | T529P476M010AAE200 |
| Żywotność @ Temp.: | 200 mOhm |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| cechy: | General Purpose |
| Rozszerzony opis: | 47µF ±20% Molded Tantalum Polymer Capacitor 10V 0805 (2012 Metric) 200 mOhm |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP TANT POLY 47UF 10V 0805 |
| Aplikacje: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T529P476M010AAE200
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC