T25D226M050CSZ jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla T25D226M050CSZ, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla T25D226M050CSZ przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup T25D226M050CSZ z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
T25D226M050CSZ
- Part Number:
- T25D226M050CSZ
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP TANT 22UF 20% 50V SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40169 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Rodzaj: | Hermetically Sealed |
| Tolerancja: | ±20% |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.335" L x 0.276" W (8.50mm x 7.00mm) |
| Seria: | TANTAMOUNT™, T25 |
| oceny: | COTS |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 718-2126-2 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Producent Kod rozmiaru: | D |
| Żywotność @ Temp.: | 2000 Hrs @ 85°C |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.299" (7.60mm) |
| cechy: | High Reliability |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 500 mOhm @ 100kHz |
| szczegółowy opis: | 22µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 50V Nonstandard 500 mOhm @ 100kHz |
| Pojemność: | 22µF |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do T25D226M050CSZ
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash