SY84113BUMG-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SY84113BUMG-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SY84113BUMG-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SY84113BUMG-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SY84113BUMG-TR
- Part Number:
- SY84113BUMG-TR
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC LIMITING POST AMP 16-QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44295 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SY84113BUMG-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 16-QFN (3x3) |
| Rodzaj: | Postamplifier |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | Optical Networks |
| Polaryzacja: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1611-SY84113BUMG-DKR |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Numer części producenta: | SY84113BUMG-TR |
| Rozszerzony opis: | Postamplifier IC Optical Networks 16-QFN (3x3) |
| Opis: | IC LIMITING POST AMP 16-QFN |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SY84113BUMG-TR
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny