SY10E107JC-TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SY10E107JC-TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SY10E107JC-TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SY10E107JC-TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SY10E107JC-TR
- Part Number:
- SY10E107JC-TR
- Producent:
- Micrel / Microchip Technology
- Opis:
- IC GATE XOR/XNOR QUINT 28-PLCC
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 32784 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SY10E107JC-TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 28-PLCC (11.5x11.5) |
| Seria: | 10E |
| Wejście Przerzutnik Schmitta: | No |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 28-LCC (J-Lead) |
| Typ wyjścia: | Differential |
| Inne nazwy: | SY10E107JC TR SY10E107JC TR-ND SY10E107JCTR SY10E107JCTR-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 10 Input (2, 2, 2, 2, 2) |
| Liczba obwodów: | 5 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | XOR/XNOR Gate |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | XOR/XNOR Gate Configurable 5 Circuit 10 Input (2, 2, 2, 2, 2) Input 28-PLCC (11.5x11.5) |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Podstawowy numer części: | 10E107 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SY10E107JC-TR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash