STTH60RQ06W jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STTH60RQ06W, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STTH60RQ06W przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STTH60RQ06W z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STTH60RQ06W
- Part Number:
- STTH60RQ06W
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE R
- Wielkość zbiorów:
- 43424 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- STTH60RQ06W.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-247 |
| Prędkość: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Seria: | - |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 65ns |
| Package / Case: | DO-247-2 (Straight Leads) |
| Inne nazwy: | 497-18142 |
| Temperatura pracy - złącze: | 175°C (Max) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 29 Weeks |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 600V 60A Through Hole DO-247 |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 80µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 60A |
| Pojemność @ VR F: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STTH60RQ06W
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny