STA533WF13TR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla STA533WF13TR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla STA533WF13TR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup STA533WF13TR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
STA533WF13TR
- Part Number:
- STA533WF13TR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC AMPLIFIER 3A QUAD PWRSSO36
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49461 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- STA533WF13TR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 5 V ~ 18 V |
| Rodzaj: | Class AB |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | PowerSSO-36 EPD |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 36-PowerFSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| Typ wyjścia: | 4 Half Bridge |
| Inne nazwy: | 497-11054-2 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | 20W x 2 @ 8 Ohm |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 50 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Thermal and Short-Circuit Protection |
| szczegółowy opis: | Amplifier IC 4 Half Bridge Class AB PowerSSO-36 EPD |
| Podstawowy numer części: | STA533 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do STA533WF13TR
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe