SSM6L16FETE85LF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SSM6L16FETE85LF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SSM6L16FETE85LF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SSM6L16FETE85LF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SSM6L16FETE85LF
- Part Number:
- SSM6L16FETE85LF
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A ES6
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24823 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SSM6L16FETE85LF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.1V @ 0.1mA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ES6 (1.6x1.6) |
| Seria: | - |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 3 Ohm @ 10mA, 4V |
| Moc - Max: | 150mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-563, SOT-666 |
| Inne nazwy: | SSM6L16FE(TE85L,F) SSM6L16FE(TE85LF)TR SSM6L16FE(TE85LF)TR-ND SSM6L16FETE85LFTR |
| temperatura robocza: | 150°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 9.3pF @ 3V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | - |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 20V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6) |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 100mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SSM6L16FETE85LF
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny