SSHB10H-R22034 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SSHB10H-R22034, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SSHB10H-R22034 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SSHB10H-R22034 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SSHB10H-R22034
- Part Number:
- SSHB10H-R22034
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- CMC 3.4MH 2.2A 2LN TH
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38164 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SSHB10H-R22034.pdf2.SSHB10H-R22034.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | - |
| Napięcie znamionowe - AC: | 250V |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.866" L x 0.669" W (22.00mm x 17.00mm) |
| Seria: | SSHB10H |
| oceny: | - |
| Package / Case: | Vertical, 4 PC Pin |
| Inne nazwy: | 399-17085 |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 120°C |
| Liczba linii: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | Not Applicable |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Indukcyjność @ Częstotliwość: | 3.4mH @ 10kHz |
| Wysokość (max): | 0.610" (15.50mm) |
| Rodzaj filtra: | - |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 3.4mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2.2A DCR 120 mOhm |
| Oporność DC (DCR) (maks.): | 120 mOhm |
| Karta Grubość (mm): | 2.2A |
| Zatwierdzenia: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SSHB10H-R22034
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash