SR3F-A1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SR3F-A1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SR3F-A1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SR3F-A1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SR3F-A1
- Part Number:
- SR3F-A1
- Opis:
- SENSOR HALL CURRENT WIRE LEADS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25592 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SR3F-A1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 24 V |
| Rodzaj: | Hall Effect Switch |
| Termination Style: | Wire Leads |
| Seria: | SR3 |
| Package / Case: | Barrel, Plastic Housed, Flange Mount |
| Typ wyjścia: | Current |
| Inne nazwy: | 480-3256 SR3FA1 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| musi zwolnić: | - |
| musi działać: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość: | 100kHz |
| szczegółowy opis: | Magnetic Hall Effect Switch Magnet, South Pole Current Wire Leads Barrel, Plastic Housed, Flange Mount |
| siłownik Materiał: | Magnet, South Pole |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SR3F-A1
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC