SR205C473MARTR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SR205C473MARTR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SR205C473MARTR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SR205C473MARTR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SR205C473MARTR1
- Part Number:
- SR205C473MARTR1
- Producent:
- AVX Corporation
- Opis:
- CAP CER 0.047UF 50V X7R RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58291 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SR205C473MARTR1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 50V |
| Tolerancja: | 0.047µF |
| Grubość (maks): | X7R |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | 0.100" (2.54mm) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.200" L x 0.125" W (5.08mm x 3.18mm) |
| Seria: | SkyCap® SR |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Ripple Current - niska częstotliwość: | General Purpose |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Radial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | SR205C473MARTR1 |
| Lead Style: | - |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.200" (5.08mm) |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | Straight |
| Rozszerzony opis: | 0.047µF ±20% 50V Ceramic Capacitor X7R Radial |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Opis: | CAP CER 0.047UF 50V X7R RADIAL |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SR205C473MARTR1
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny