SPM3015T-R47M-LR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SPM3015T-R47M-LR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SPM3015T-R47M-LR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SPM3015T-R47M-LR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SPM3015T-R47M-LR
- Part Number:
- SPM3015T-R47M-LR
- Producent:
- TDK Corporation
- Opis:
- FIXED IND 470NH 4.8A 28.2 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57900 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SPM3015T-R47M-LR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Stosowanie: | Shielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.118" W (3.20mm x 3.00mm) |
| Seria: | SPM-LR |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | 445-174446-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Numer części producenta: | SPM3015T-R47M-LR |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.047" (1.20mm) |
| typ sprzętu: | 470nH |
| Częstotliwość - Test: | - |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 28.2 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 470nH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 28.2 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±20% |
| Średnica - ramię: | - |
| Opis: | FIXED IND 470NH 4.8A 28.2 MOHM |
| Czas zwłoki: | 100kHz |
| DC Resistance (DCR): | 7A |
| Aktualna ocena: | 4.8A |
| Obecny - Nasycenie: | Metal |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SPM3015T-R47M-LR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC