SP8M6FRATB jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SP8M6FRATB, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SP8M6FRATB przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SP8M6FRATB z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SP8M6FRATB
- Part Number:
- SP8M6FRATB
- Producent:
- LAPIS Semiconductor
- Opis:
- 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 40884 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SP8M6FRATB.pdf2.SP8M6FRATB.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOP |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V |
| Moc - Max: | 2W |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Inne nazwy: | SP8M6FRATBCT |
| temperatura robocza: | 150°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 230pF @ 10V, 490pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 3.9nC @ 5V, 5.5nC @ 5V |
| Rodzaj FET: | N and P-Channel |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 30V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array N and P-Channel 30V 5A (Ta), 3.5A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 5A (Ta), 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SP8M6FRATB
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC