SP12K21BT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SP12K21BT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SP12K21BT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SP12K21BT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SP12K21BT
- Part Number:
- SP12K21BT
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- RES SMD 2.21K OHM 0.1% 1.5W 2615
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27518 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SP12K21BT.pdf2.SP12K21BT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±20ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMD |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.255" L x 0.150" W (6.48mm x 3.81mm) |
| Seria: | SP, CGS |
| Tryb panel: | 2.21 kOhms |
| Moc (W): | 1.5W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2615 J-Lead |
| Inne nazwy: | 1624282-3 1624282-3-ND |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.112" (2.84mm) |
| cechy: | Current Sense, Moisture Resistant |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 2.21 kOhms ±0.1% 1.5W Chip Resistor 2615 J-Lead Current Sense, Moisture Resistant Wirewound |
| Kompozycja: | Wirewound |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SP12K21BT
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny