SN75162BDWR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN75162BDWR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN75162BDWR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN75162BDWR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN75162BDWR
- Part Number:
- SN75162BDWR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC OCT INTRFACE BUS TXRX 24-SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37810 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN75162BDWR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Rodzaj: | Transceiver |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 24-SOIC |
| Seria: | - |
| Histereza odbiornika: | 650mV |
| Protokół: | IEEE 488 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 24-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-46337-2 SN75162BDWR-ND SN75162BDWRE4 SN75162BDWRE4-ND SN75162BDWRG4 SN75162BDWRG4-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba kierowców / odbiorników: | 8/8 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Dupleks: | Half |
| szczegółowy opis: | 8/8 Transceiver Half IEEE 488 24-SOIC |
| Szybkość przesyłania danych: | - |
| Podstawowy numer części: | SN75162 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN75162BDWR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash