SN74LS109ANSR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74LS109ANSR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74LS109ANSR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74LS109ANSR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74LS109ANSR
- Part Number:
- SN74LS109ANSR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC FF JK TYPE DUAL 1BIT 16SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45481 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74LS109ANSR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.75 V ~ 5.25 V |
| Rodzaj: | JK Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74LS |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-SOIC (0.209", 5.30mm Width) |
| Typ wyjścia: | Differential |
| Inne nazwy: | SN74LS109ANSRE4 SN74LS109ANSRE4-ND SN74LS109ANSRG4 SN74LS109ANSRG4-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 25ns @ 5V, 15pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Set(Preset) and Reset |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 8mA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 400µA, 8mA |
| Częstotliwość zegara: | 33MHz |
| Podstawowy numer części: | 74LS109 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74LS109ANSR
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC