SN74F74NG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74F74NG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74F74NG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74F74NG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74F74NG4
- Part Number:
- SN74F74NG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24363 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74F74NG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74F |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Typ wyjścia: | Differential |
| Inne nazwy: | SN74F74NE4 SN74F74NE4-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 8ns @ 5V, 50pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Funkcjonować: | Set(Preset) and Reset |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 16mA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 1mA, 20mA |
| Częstotliwość zegara: | 145MHz |
| Podstawowy numer części: | 74F74 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74F74NG4
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny