SN74CB3Q16244DLR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74CB3Q16244DLR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74CB3Q16244DLR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74CB3Q16244DLR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74CB3Q16244DLR
- Part Number:
- SN74CB3Q16244DLR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC SWITCH BUS 16BIT FET 48-SSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27417 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74CB3Q16244DLR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia zasilania: | Single Supply |
| Napięcie - Dostawa: | 2.3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | Bus Switch |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 48-SSOP |
| Seria: | 74CB |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width) |
| Inne nazwy: | 296-19116-2 74CB3Q16244DLRG4 74CB3Q16244DLRG4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| niezależne obwody: | 4 |
| szczegółowy opis: | Bus Switch 4 x 1:1 48-SSOP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | - |
| Obwód: | 4 x 1:1 |
| Podstawowy numer części: | 74CB3Q16244 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74CB3Q16244DLR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash