SN74AHCT1G126DCKR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SN74AHCT1G126DCKR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SN74AHCT1G126DCKR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SN74AHCT1G126DCKR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SN74AHCT1G126DCKR
- Part Number:
- SN74AHCT1G126DCKR
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34367 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SN74AHCT1G126DCKR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SC-70-5 |
| Seria: | 74AHCT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| Inne nazwy: | 296-4711-2 74AHCT1G126DCKRE4 74AHCT1G126DCKRE4-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element 3-State Output SC-70-5 |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Podstawowy numer części: | 74AHCT1G126 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SN74AHCT1G126DCKR
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash