SMV3W150KJT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SMV3W150KJT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SMV3W150KJT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SMV3W150KJT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SMV3W150KJT
- Part Number:
- SMV3W150KJT
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- SMV 3W 150K 5%
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31554 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SMV3W150KJT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±5% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±200ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SMD |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.531" L x 0.287" W (13.50mm x 7.30mm) |
| Seria: | SMV |
| Tryb panel: | 150 kOhms |
| Moc (W): | 3W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 5329 (13573 Metric), J-Lead |
| Inne nazwy: | 2176324-3 A130810TR |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 200°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 18 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.280" (7.10mm) |
| cechy: | Anti-Sulfur, Flame Proof, High Voltage, Pulse Withstanding, Safety |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 150 kOhms ±5% 3W Chip Resistor 5329 (13573 Metric), J-Lead Anti-Sulfur, Flame Proof, High Voltage, Pulse Withstanding, Safety Metal Film |
| Kompozycja: | Metal Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SMV3W150KJT
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe