SM2X2K000/3K000QT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SM2X2K000/3K000QT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SM2X2K000/3K000QT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SM2X2K000/3K000QT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SM2X2K000/3K000QT
- Part Number:
- SM2X2K000/3K000QT
- Producent:
- Vishay Precision Group
- Opis:
- SM2X2K000/3K000QT 5 PPM NETWORK
- Wielkość zbiorów:
- 20158 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SM2X2K000/3K000QT.pdf2.SM2X2K000/3K000QT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.02% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±5ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.303" L x 0.102" W (7.70mm x 2.60mm) |
| Seria: | SM |
| Resistor-Ratio-Drift: | ±3 ppm/°C |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | ±0.01% |
| Oporność (Ohm): | 2k, 3k |
| Moc na element: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial - 3 Leads |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 150°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 3 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.327" (8.30mm) |
| szczegółowy opis: | 2k, 3k Ohm ±0.02% Power Per Element Voltage Divider Resistor Network/Array ±5ppm/°C Radial - 3 Leads |
| Rodzaj obwodu: | Voltage Divider |
| Aplikacje: | Voltage Divider (TCR Matched) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SM2X2K000/3K000QT
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny