SIT8008BC-13-33E-66.666670E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SIT8008BC-13-33E-66.666670E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SIT8008BC-13-33E-66.666670E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SIT8008BC-13-33E-66.666670E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SIT8008BC-13-33E-66.666670E
- Part Number:
- SIT8008BC-13-33E-66.666670E
- Producent:
- SiTime
- Opis:
- OSC MEMS 66.66667MHZ LVCMOS SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25247 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SIT8008BC-13-33E-66.666670E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MEMS (Silicon) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
| Shell Style: | 3.3V |
| Seria: | SiT8008B |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | 4-SMD, No Lead |
| Wydajność: | Enable/Disable |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 70°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| Numer części producenta: | SIT8008BC-13-33E-66.666670E |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.031" (0.80mm) |
| częstotliwość Tolerancja: | ±50ppm |
| Częstotliwość - Wyjście 1: | 4.2mA |
| Częstotliwość: | 66.66667MHz |
| Rozszerzony opis: | 66.66667MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 4.5mA Enable/Disable |
| Opis: | OSC MEMS 66.66667MHZ LVCMOS SMD |
| Obecny - Dostawa (Max): | LVCMOS |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 4.5mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIT8008BC-13-33E-66.666670E
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash