SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X
- Part Number:
- SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X
- Producent:
- SiTime
- Opis:
- OSC MEMS VCXO 32.7680MHZ LVCMOS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 30491 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5V |
| Rodzaj: | VCXO |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.276" L x 0.197" W (7.00mm x 5.00mm) |
| Seria: | SiT3808 |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-SMD, No Lead |
| Wydajność: | LVCMOS |
| Inne nazwy: | 1473-30268-2 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.039" (1.00mm) |
| Funkcjonować: | Enable/Disable |
| Stabilność częstotliwości: | ±25ppm |
| Częstotliwość: | 32.768MHz |
| szczegółowy opis: | 32.768MHz VCXO LVCMOS Oscillator 2.5V Enable/Disable 6-SMD, No Lead |
| Obecny - Dostawa (Max): | 33mA |
| Obecny - Dostawa (Wyłącz) (maks): | 70µA |
| Rezonator bazowy: | MEMS |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SIT3808AI-D2-25EE-32.768000X
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash