SI53321-B-GM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SI53321-B-GM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SI53321-B-GM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SI53321-B-GM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SI53321-B-GM
- Part Number:
- SI53321-B-GM
- Producent:
- Energy Micro (Silicon Labs)
- Opis:
- IC CLK BUFF 1:10 LVPECL 32QFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SI53321-B-GM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.375 V ~ 3.63 V |
| Rodzaj: | Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 32-QFN (5x5) |
| Seria: | - |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 2:10 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 32-VFQFN Exposed Pad |
| Wydajność: | LVPECL |
| Inne nazwy: | 336-3347 SI53321-B-GM-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2 (1 Year) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 6 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | CML, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL |
| Częstotliwość - Max: | 1.25GHz |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | Yes/Yes |
| szczegółowy opis: | Clock Fanout Buffer (Distribution), Multiplexer IC 2:10 1.25GHz 32-VFQFN Exposed Pad |
| Podstawowy numer części: | SI53321 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SI53321-B-GM
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC