SHT1-500C075DE jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SHT1-500C075DE, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SHT1-500C075DE przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SHT1-500C075DE z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SHT1-500C075DE
- Part Number:
- SHT1-500C075DE
- Producent:
- Ohmite
- Opis:
- RES CHAS MNT 150 UOHM 0.5%
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55146 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SHT1-500C075DE.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.5% |
| Współczynnik temperaturowy: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 4.961" L x 1.811" W (126.00mm x 46.00mm) |
| Seria: | S |
| Tryb panel: | 150 µOhms |
| Moc (W): | 37.5W |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Rectangular Case - Open |
| Inne nazwy: | SHT1500C075DE |
| temperatura robocza: | -25°C ~ 85°C |
| element mocowania: | Flanges |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Lead Style: | 4-Terminal |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.906" (23.00mm) |
| cechy: | Current Sense |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 150 µOhms ±0.5% 37.5W Metal Element Chassis Mount Resistor |
| Kompozycja: | Metal Element |
| Okładziny, Typ obudowy: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SHT1-500C075DE
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC