SE20PAJ-M3/I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SE20PAJ-M3/I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SE20PAJ-M3/I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SE20PAJ-M3/I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SE20PAJ-M3/I
- Part Number:
- SE20PAJ-M3/I
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- DIODE GEN PURP 600V 1.6A DO220AA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56011 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.SE20PAJ-M3/I.pdf2.SE20PAJ-M3/I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli: | 1.05V @ 2A |
| Napięcie - DC Rewers (VR) (maks): | 600V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | DO-220AA (SMP) |
| Prędkość: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 1.2µs |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | DO-220AA |
| Inne nazwy: | SE20PAJ-M3/I-ND SE20PAJ-M3/IGITR SE20PJ-M3/I SE20PJ-M3/I-ND |
| Temperatura pracy - złącze: | -55°C ~ 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ diody: | Standard |
| szczegółowy opis: | Diode Standard 600V 1.6A Surface Mount DO-220AA (SMP) |
| Obecny - Reverse Przeciek @ Vr: | 5µA @ 600V |
| Obecny - Średnia Spirytus (Io): | 1.6A |
| Pojemność @ VR F: | 13pF @ 4V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SE20PAJ-M3/I
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny