SCD155K102D3Z25-F jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SCD155K102D3Z25-F, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SCD155K102D3Z25-F przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SCD155K102D3Z25-F z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SCD155K102D3Z25-F
- Part Number:
- SCD155K102D3Z25-F
- Producent:
- Cornell Dubilier Electronics
- Opis:
- CAP FILM 1.5UF 10% 1KVDC SCREW
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55067 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SCD155K102D3Z25-F.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - DC: | 1000V (1kV) |
| Napięcie znamionowe - AC: | 500V |
| Tolerancja: | ±10% |
| Zakończenie: | Screw Terminals |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.776" L x 1.370" W (45.10mm x 34.80mm) |
| Seria: | SCD |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Rectangular Box |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 85°C |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Główny odstęp: | 1.000" (25.40mm) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.402" (35.60mm) |
| cechy: | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 3 mOhms |
| Materiał dielektryka: | Polypropylene (PP), Metallized |
| szczegółowy opis: | 1.5µF Film Capacitor 500V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Rectangular Box |
| Pojemność: | 1.5µF |
| Aplikacje: | Snubber |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SCD155K102D3Z25-F
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC