SA58670ABS,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla SA58670ABS,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla SA58670ABS,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup SA58670ABS,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
SA58670ABS,115
- Part Number:
- SA58670ABS,115
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC AMP AUDIO 2.1W STER D 20HVQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 52096 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- SA58670ABS,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.5 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | Class D |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-HVQFN (4x4) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 20-VFQFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | 2-Channel (Stereo) |
| Inne nazwy: | 568-4354-2 935286181115 SA58670ABS SA58670ABS-G SA58670ABS-G-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Maksymalna moc wyjściowa x Kanały @ obciążenia: | 2.1W x 2 @ 4 Ohm |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Differential Inputs, Short-Circuit and Thermal Protection, Shutdown |
| szczegółowy opis: | Amplifier IC 2-Channel (Stereo) Class D 20-HVQFN (4x4) |
| Podstawowy numer części: | SA58670 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do SA58670ABS,115
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash