S9S12XS256J0CAER jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S9S12XS256J0CAER, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S9S12XS256J0CAER przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S9S12XS256J0CAER z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S9S12XS256J0CAER
- Part Number:
- S9S12XS256J0CAER
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- 16-BIT MCU S12X CORE 256KB FLA
- Wielkość zbiorów:
- 54696 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S9S12XS256J0CAER.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | 1.72 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 64-LQFP (10x10) |
| Prędkość: | 40MHz |
| Seria: | HCS12X |
| Wielkość pamięci RAM: | 12K x 8 |
| Typ pamięci programu: | FLASH |
| Rozmiar pamięci programu: | 256KB (256K x 8) |
| Peryferia: | LVD, POR, PWM, WDT |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 64-LQFP |
| Inne nazwy: | 935311637528 |
| Typ oscylatora: | External |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba I / O: | 44 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Rozmiar EEPROM: | - |
| szczegółowy opis: | HCS12X HCS12X Microcontroller IC 16-Bit 40MHz 256KB (256K x 8) FLASH 64-LQFP (10x10) |
| Konwertery danych: | A/D 8x12b |
| rdzeń Rozmiar: | 16-Bit |
| Core Processor: | HCS12X |
| Łączność: | CANbus, SCI, SPI |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S9S12XS256J0CAER
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash