S6E2CCAJFAGB1000A jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S6E2CCAJFAGB1000A, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S6E2CCAJFAGB1000A przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S6E2CCAJFAGB1000A z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S6E2CCAJFAGB1000A
- Part Number:
- S6E2CCAJFAGB1000A
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC MCU 32BIT 2MB FLASH 192BGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20606 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S6E2CCAJFAGB1000A.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa (Vcc / Vdd): | FLASH |
| Napięcie - Podział: | 192-FBGA (12x12) |
| Seria: | FM4 S6E2CC |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 200MHz |
| wymaga: | DMA, I²S, LVD, POR, PWM, WDT |
| Typ pamięci programu: | 2MB (2M x 8) |
| Rozmiar pamięci programu: | CAN, CSIO, EBI/EMI, Ethernet, I²C, LIN, SD, SPI, UART/USART, USB |
| Polaryzacja: | 192-LFBGA |
| Inne nazwy: | 1274-1189 S6E2CCAJFAGB10000 S6E2CCAJFAGB10000-ND |
| Typ oscylatora: | A/D 32x12b, D/A 2x12b |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| System operacyjny: | ARM® Cortex®-M4F |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Numer części producenta: | S6E2CCAJFAGB1000A |
| Rozszerzony opis: | ARM® Cortex®-M4F FM4 S6E2CC Microcontroller IC 32-Bit 200MHz 2MB (2M x 8) FLASH 192-FBGA (12x12) |
| Opis: | IC MCU 32BIT 2MB FLASH 192BGA |
| Bajty danych SRAM: | - |
| Konwertery danych: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| rdzeń Rozmiar: | 256K x 8 |
| Seria regulatorów: | Internal |
| Łączność: | 32-Bit |
| Częstotliwość zegara: | 152 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S6E2CCAJFAGB1000A
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED