S309C25C0JR65L7RX1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S309C25C0JR65L7RX1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S309C25C0JR65L7RX1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S309C25C0JR65L7RX1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S309C25C0JR65L7RX1
- Part Number:
- S309C25C0JR65L7RX1
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP CER 3PF 3KV C0J RADIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24231 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S309C25C0JR65L7RX1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 3000V (3kV) |
| Tolerancja: | ±0.25pF |
| Grubość (maks): | - |
| Współczynnik temperaturowy: | C0J |
| Rozmiar / Wymiar: | - |
| Seria: | S |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | Radial, Disc |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 11 Weeks |
| Lead Style: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | - |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 3pF ±0.25pF 3000V (3kV) Ceramic Capacitor C0J Radial, Disc |
| Pojemność: | 3pF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S309C25C0JR65L7RX1
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash