S29GL512T12TFVV10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S29GL512T12TFVV10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S29GL512T12TFVV10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S29GL512T12TFVV10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S29GL512T12TFVV10
- Part Number:
- S29GL512T12TFVV10
- Producent:
- Cypress Semiconductor
- Opis:
- IC 512MB MEMORY
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47474 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S29GL512T12TFVV10.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 56-TSOP |
| standardy: | Non-Volatile |
| Oprogramowanie: | 512Mb (64M x 8) |
| Shell Style: | 1.65 V ~ 3.6 V |
| Seria: | GL-T |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 120ns |
| Polaryzacja: | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
| Izolacja wyjście: | FLASH |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Numer części producenta: | S29GL512T12TFVV10 |
| Berło: | Parallel |
| Opis: | IC 512MB MEMORY |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S29GL512T12TFVV10
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen