S1F81150F0A2000 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla S1F81150F0A2000, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla S1F81150F0A2000 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup S1F81150F0A2000 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
S1F81150F0A2000
- Part Number:
- S1F81150F0A2000
- Producent:
- Epson
- Opis:
- IC REG HEX BUCK/LINEAR 16TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Nie dotyczy / Nie dotyczy
- Wielkość zbiorów:
- 27547 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- S1F81150F0A2000.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| w / Inspektora: | No |
| w / Sequencer: | No |
| w / LED Driver: | No |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 3: | Controller |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 2: | Controller |
| Napięcie / Prąd - Wyjście 1: | Controller |
| Napięcie - Dostawa: | 2.9 V ~ 4.5 V |
| topologia: | Step-Down (Buck) (5), Linear (LDO) (1) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 48-QFP (7x7) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | - |
| Package / Case: | 48-LQFP |
| Inne nazwy: | S1F81150F0A0000 S1F81150F0A0000-ND |
| temperatura robocza: | - |
| Liczba wyjść: | 6 |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Not applicable / Not applicable |
| Częstotliwość - Przełączanie: | - |
| szczegółowy opis: | Linear And Switching Voltage Regulator IC 6 Output Step-Down (Buck) (5), Linear (LDO) (1) 48-QFP (7x7) |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do S1F81150F0A2000
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash