RUT6432FR160CS jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RUT6432FR160CS, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RUT6432FR160CS przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RUT6432FR160CS z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RUT6432FR160CS
- Part Number:
- RUT6432FR160CS
- Producent:
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- Opis:
- RES 0.16 OHM 1% 1W 2512
- Wielkość zbiorów:
- 36829 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RUT6432FR160CS.pdf2.RUT6432FR160CS.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±150ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 2512 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.248" L x 0.126" W (6.30mm x 3.20mm) |
| Seria: | RUT |
| Tryb panel: | 160 mOhms |
| Moc (W): | 1W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 2512 (6432 Metric) |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 26 Weeks |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.026" (0.66mm) |
| cechy: | Current Sense, Moisture Resistant |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 160 mOhms ±1% 1W Chip Resistor 2512 (6432 Metric) Current Sense, Moisture Resistant Thick Film |
| Kompozycja: | Thick Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RUT6432FR160CS
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC