RT3S-24V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RT3S-24V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RT3S-24V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RT3S-24V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RT3S-24V
- Part Number:
- RT3S-24V
- Producent:
- Panasonic
- Opis:
- RELAY GEN PURP SPST X 4 3A 24V
- Status bezołowiowy:
- Zawiera RoHS / RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25188 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RT3S-24V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Włącz napięcie (maks): | 16.8 VDC |
| Wyłącz napięcie (Min): | 1.2 VDC |
| Termination Style: | Screw Terminal |
| przełączanie napięcia: | 250VAC, 30VDC - Max |
| Seria: | RT-3 |
| Relay Type: | General Purpose with Socket |
| Opakowania: | Bulk |
| Inne nazwy: | 1110-3111 Q2259319 Q2497432 RT3S-24V-ND |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 55°C |
| Rodzaj mocowania: | DIN Rail |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS Compliant |
| cechy: | LED Indicator |
| szczegółowy opis: | General Purpose with Socket Relay SPST-NO (1 Form A) x 4 24VDC Coil DIN Rail |
| Kontakt Ocena (prąd stały): | 3A |
| Materiał styków: | - |
| Formularz kontaktowy: | SPST-NO (1 Form A) x 4 |
| Napięcie cewki: | 24VDC |
| Coil Type: | Non Latching |
| Coil Resistance: | 3.2 kOhms |
| cewka zasilania: | 180 mW |
| Aktualny Coil: | 7.5mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RT3S-24V
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash