RT1451B6TR7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RT1451B6TR7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RT1451B6TR7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RT1451B6TR7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RT1451B6TR7
- Part Number:
- RT1451B6TR7
- Producent:
- CTS Electronic Components
- Opis:
- RES NTWRK 16 RES 25 OHM 18LBGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 57489 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RT1451B6TR7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±1% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±100ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 18-BGA (7.6x3.8) |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.300" L x 0.150" W (7.62mm x 3.81mm) |
| Seria: | ClearONE™ |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 25 |
| Moc na element: | 50mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 18-LBGA |
| Inne nazwy: | RT1451B6TR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba rezystorów: | 16 |
| Ilość Pins: | 18 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.058" (1.47mm) |
| szczegółowy opis: | 25 Ohm ±1% 50mW Power Per Element Dual Terminator 16 Resistor Network/Array ±100ppm/°C 18-LBGA |
| Rodzaj obwodu: | Dual Terminator |
| Aplikacje: | GTL, GTL+, AGTL+ |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RT1451B6TR7
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny