RNF18FBD1K91 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RNF18FBD1K91, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RNF18FBD1K91 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RNF18FBD1K91 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RNF18FBD1K91
- Part Number:
- RNF18FBD1K91
- Producent:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Opis:
- RES 1.91K OHM 1/8W 1% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 32693 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RNF18FBD1K91.pdf2.RNF18FBD1K91.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.125W, 1/8W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | ±100ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.071" Dia x 0.130" L (1.80mm x 3.30mm) |
| Seria: | RNF |
| Stan RoHS: | Bulk |
| Polaryzacja: | Axial |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Numer części producenta: | RNF18FBD1K91 |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Safety |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 1.91k Ohm ±1% 0.125W, 1/8W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Safety Metal Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±1% |
| Opis: | RES 1.91K OHM 1/8W 1% AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Metal Film |
| Pasmo: | 1.91k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RNF18FBD1K91
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash