RNCF0805CTE3K92 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RNCF0805CTE3K92, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RNCF0805CTE3K92 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RNCF0805CTE3K92 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RNCF0805CTE3K92
- Part Number:
- RNCF0805CTE3K92
- Producent:
- Stackpole Electronics, Inc.
- Opis:
- RES 3.92K OHM 0.25% 1/8W 0805
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 20753 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RNCF0805CTE3K92.pdf2.RNCF0805CTE3K92.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±0.25% |
| Współczynnik temperaturowy: | ±25ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0805 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
| Seria: | RNCF |
| Tryb panel: | 3.92 kOhms |
| Moc (W): | 0.125W, 1/8W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0805 (2012 Metric) |
| Inne nazwy: | RNC 20 T9 3.92K 0.25% R RNC20T93.92K0.25%R RNC20T93.92K0.25%R-ND RNC20T93.92KCR RNC20T93.92KCR-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.026" (0.65mm) |
| cechy: | Automotive AEC-Q200 |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 3.92 kOhms ±0.25% 0.125W, 1/8W Chip Resistor 0805 (2012 Metric) Automotive AEC-Q200 Thin Film |
| Kompozycja: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RNCF0805CTE3K92
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC