RN55E2291BRSL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RN55E2291BRSL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RN55E2291BRSL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RN55E2291BRSL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RN55E2291BRSL
- Part Number:
- RN55E2291BRSL
- Producent:
- Dale / Vishay
- Opis:
- RES 2.29K OHM 1/8W .1% AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 59935 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RN55E2291BRSL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie znamionowe - AC: | - |
| Napięcie - Working: | 0.125W, 1/8W |
| Napięcie - Podział: | Axial |
| Grubość (maks): | ±25ppm/°C |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.090" Dia x 0.240" L (2.29mm x 6.10mm) |
| Seria: | Military, MIL-R-10509/7, RN55 |
| Stan RoHS: | Tape & Reel (TR) |
| Polaryzacja: | Axial |
| Inne nazwy: | RN55E2291BRSL-MIL |
| temperatura robocza: | -65°C ~ 175°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 15 Weeks |
| Numer części producenta: | RN55E2291BRSL |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| cechy: | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety |
| FIFO: | 2 |
| Rozszerzony opis: | 2.29k Ohm ±0.1% 0.125W, 1/8W Through Hole Resistor Axial Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety Metal Film |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±0.1% |
| Opis: | RES 2.29K OHM 1/8W .1% AXIAL |
| Okładziny, Typ obudowy: | Metal Film |
| Pasmo: | 2.29k |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RN55E2291BRSL
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC