RM3216F-N50 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RM3216F-N50, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RM3216F-N50 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RM3216F-N50 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RM3216F-N50
- Part Number:
- RM3216F-N50
- Producent:
- Susumu
- Opis:
- RES ARRAY 2 RES MULT OHM 1206
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27316 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RM3216F-N50.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | - |
| Współczynnik temperaturowy: | ±10ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1206 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| Seria: | RM |
| Resistor-Ratio-Drift: | - |
| Współczynnik dopasowania rezystora: | - |
| Oporność (Ohm): | 500, 3.02k |
| Moc na element: | 83mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 1206 (3216 Metric), Long Side Terminals |
| Inne nazwy: | Q6730747 |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 155°C |
| Liczba rezystorów: | 2 |
| Ilość Pins: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.022" (0.55mm) |
| szczegółowy opis: | 500, 3.02k Ohm 83mW Power Per Element Isolated 2 Resistor Network/Array ±10ppm/°C 1206 (3216 Metric), Long Side Terminals |
| Rodzaj obwodu: | Isolated |
| Aplikacje: | Automotive AEC-Q200 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RM3216F-N50
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC