RL0510S-R15-G jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RL0510S-R15-G, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RL0510S-R15-G przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RL0510S-R15-G z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RL0510S-R15-G
- Part Number:
- RL0510S-R15-G
- Producent:
- Susumu
- Opis:
- RES 0.15 OHM 2% 1/6W 0402
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22660 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.RL0510S-R15-G.pdf2.RL0510S-R15-G.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Tolerancja: | ±2% |
| Współczynnik temperaturowy: | 0/ +200ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 0402 |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Seria: | RL |
| Tryb panel: | 150 mOhms |
| Moc (W): | 0.167W, 1/6W |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 0402 (1005 Metric) |
| Inne nazwy: | RL0510SR15G RL05S.15GTR |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Liczba zakończeń: | 2 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.018" (0.45mm) |
| cechy: | Current Sense |
| Współczynnik awaryjności: | - |
| szczegółowy opis: | 150 mOhms ±2% 0.167W, 1/6W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Current Sense Thin Film |
| Kompozycja: | Thin Film |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RL0510S-R15-G
Latest Aktualności
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC