RJM0603JSC-00#13 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla RJM0603JSC-00#13, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla RJM0603JSC-00#13 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup RJM0603JSC-00#13 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
RJM0603JSC-00#13
- Part Number:
- RJM0603JSC-00#13
- Producent:
- Renesas Electronics America
- Opis:
- MOSFET 3N/3P-CH 60V 20A HSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 45239 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- RJM0603JSC-00#13.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 1mA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-HSOP |
| Seria: | Automotive, AEC-Q101 |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Moc - Max: | 54W |
| Opakowania: | - |
| Package / Case: | 20-SOIC (0.433", 11.00mm Width) Exposed Pad |
| temperatura robocza: | 175°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2600pF @ 10V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | 43nC @ 10V |
| Rodzaj FET: | 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) |
| Cecha FET: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 60V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 60V 20A 54W Surface Mount 20-HSOP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do RJM0603JSC-00#13
Latest Aktualności
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe